光學(xué)平臺(tái)產(chǎn)品及廠家

美國(guó) OAI 型光學(xué)正面和背面光刻機(jī)系統(tǒng)
2012sm型自動(dòng)邊緣曝光系統(tǒng)為使用標(biāo)準(zhǔn)陰影掩模技術(shù)的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方法。 設(shè)計(jì)用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動(dòng)foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實(shí)現(xiàn)，從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時(shí)間:2025-07-26
美國(guó) OAI 自動(dòng)化邊緣曝光系統(tǒng)
2012sm型自動(dòng)邊緣曝光系統(tǒng)為使用標(biāo)準(zhǔn)陰影掩模技術(shù)的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方法。 設(shè)計(jì)用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動(dòng)foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實(shí)現(xiàn)，從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時(shí)間:2025-07-26
美國(guó) OAI 邊緣曝光系統(tǒng)
兩種型號(hào)的2000型曝光系統(tǒng)包括uv光源，強(qiáng)度控制電源和機(jī)器人襯底處理子系統(tǒng)。 uv光源提供發(fā)散半角<2.0％的可調(diào)強(qiáng)度光束。電源從200w到2,000w。強(qiáng)度控制器傳感器直接連接到光源，用于精確的強(qiáng)度監(jiān)控。機(jī)器人襯底處理系統(tǒng)是微處理器控制的，并且可以被編程以適應(yīng)各種各樣的襯底尺寸。
更新時(shí)間:2025-07-26
美國(guó) OAI 光刻機(jī)
oai 5000e型大面積掩光刻機(jī)是一種先進(jìn)的高性能，全自動(dòng)掩模對(duì)準(zhǔn)器和曝光工具，可為大型平板應(yīng)用提供超精密，頂，亞微米對(duì)準(zhǔn)和分辨率。 其靈活的設(shè)計(jì)允許在各種基材（圓形或方形）上印刷高達(dá)300mm或20“×20”。 曝光系統(tǒng)兼容近，中，或深紫外范圍的光刻膠，并具有計(jì)算機(jī)控制的led顯微鏡照明，在不太理想的觀察環(huán)境中觀察。
更新時(shí)間:2025-07-26
德國(guó)Eulitha 高分辨紫外光刻系統(tǒng)
phabler 100 紫外光刻機(jī)是一套低成本的光學(xué)曝光系統(tǒng)，但卻能獲得高分辨率的周期性結(jié)構(gòu)。同傳統(tǒng)的紫外曝光機(jī)類(lèi)似，涂覆了光刻膠的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于eulitha公司擁有突破性的phable 曝光技術(shù)，在"phable"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，從而曝光出亞微米的線性光柵和二維光柵（六角形和正方形），且曝光結(jié)果非常均勻，質(zhì)量很好。
更新時(shí)間:2025-07-26
瑞士 NanoFrazor 3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫(xiě)機(jī)
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對(duì)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對(duì)糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
更新時(shí)間:2025-07-26
德國(guó) Raith 150 Two 高分辨電子束曝光系統(tǒng)
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對(duì)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對(duì)糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
更新時(shí)間:2025-07-26
德國(guó)Raith Voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機(jī)
德國(guó)raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機(jī),系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)8英寸樣品的高速曝光。系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常關(guān)鍵的指標(biāo)，可保證大面積均勻曝光。該系統(tǒng)外部采用環(huán)境屏蔽罩，即使在稍差的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，仍然能確保系統(tǒng)具有非常好的熱穩(wěn)定性，提高系統(tǒng)對(duì)外界環(huán)境的容忍度。
更新時(shí)間:2025-07-26
德國(guó)Raith 電子束光刻機(jī)
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺(tái)，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺(tái)設(shè)計(jì)，對(duì)電子束直寫(xiě)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時(shí)間:2025-07-26
德Raith 電子束光刻機(jī)
系統(tǒng)中集成了高精度的激光干涉工作臺(tái)，運(yùn)動(dòng)行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實(shí)現(xiàn)精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時(shí)間:2025-07-26
瑞典 Mycronic 光刻機(jī)
主要優(yōu)勢(shì)提高分辨率 25%更佳的貼片性能 70%更快的寫(xiě)入速度20%
更新時(shí)間:2025-07-26
綠光納鉆孔設(shè)備
玻璃去油墨設(shè)備,采用訂制紫外納激光器對(duì)玻璃表面進(jìn)行去油墨以及油墨微加工， 將產(chǎn)品損傷降至低。
更新時(shí)間:2025-07-26
美國(guó)OAI光刻機(jī)
oai 800型光學(xué)正面和背面光刻機(jī)系統(tǒng), 是半自動(dòng),four-camera、光學(xué)正面和背面光刻機(jī)。它提供其精確的(1碌m - 2 m碌)對(duì)準(zhǔn)精度,旨在大大超過(guò)任何紅外背后對(duì)準(zhǔn)器性能的一個(gè)非常有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格。通用模型800光刻機(jī)是理想的用于低產(chǎn)量、研發(fā)實(shí)驗(yàn)室和大學(xué)。
更新時(shí)間:2025-07-26
瑞士納米結(jié)構(gòu)高速直寫(xiě)機(jī)機(jī)
瑞士nanofrazor 3d納米結(jié)構(gòu)高速直寫(xiě)機(jī)，源于發(fā)明stm和afm的ibm蘇黎世研發(fā)中心，是其在納米加工技術(shù)的新研究成果。nanofrazor納米3d結(jié)構(gòu)直寫(xiě)機(jī)第 一次將納米尺度下的3d結(jié)構(gòu)直寫(xiě)工藝快速化、穩(wěn)定化。
更新時(shí)間:2025-07-26
中國(guó)nanoArch科研3D打印機(jī)
nanoarch科研3d打印機(jī)m160 ，本套系統(tǒng)創(chuàng)新地使用了自動(dòng)化的多材料送料系統(tǒng)，兼顧高精度和多材料打印，可支持同時(shí)打印4種樹(shù)脂基復(fù)合材料進(jìn)行層間或?qū)觾?nèi)多材料3d打印，適用于基礎(chǔ)理論驗(yàn)證及原理創(chuàng)新研究，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。其主要應(yīng)用在點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)材料、功能梯度材料、超材料、復(fù)合材料、復(fù)雜微流控，多材料4d打印等方面。
更新時(shí)間:2025-07-26
中國(guó)nanoArch科研3D打印機(jī)
nanoarch微納3d打印機(jī) p130/s130 ，科研3d打印系統(tǒng)，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實(shí)現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時(shí)間:2025-07-26
中國(guó)nanoArch科研3D打印機(jī)
nanoarch 3d打印機(jī)p140/s140 ，科研3d打印系統(tǒng)，擁有10μm的超高打印精度和10μm的超低打印層厚，從而實(shí)現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時(shí)間:2025-07-26
理音RION 采樣器統(tǒng)
理音rion kz-30uk采樣器，易于操作的室內(nèi)化學(xué)采樣器，當(dāng)腔體壓力過(guò)高的時(shí)候， 可以排凈空氣，防止發(fā)生故障 ，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單的化學(xué)防爆采樣器，kz-30uk的設(shè)計(jì)是可以為 離線測(cè)試的液體粒子計(jì)數(shù)器提供加壓。
更新時(shí)間:2025-07-26
美Nano-master熱蒸鍍系統(tǒng)
美nano-master熱蒸鍍系統(tǒng)：nte-4000 獨(dú)立式電子束蒸鍍，nte-3500 緊湊型獨(dú)立式熱蒸鍍，nte-3000 雙蒸源臺(tái)式熱蒸鍍系統(tǒng)，nte-1000 簡(jiǎn)便型熱蒸鍍。熱蒸鍍系統(tǒng)可以跟nano-master那諾-馬斯特的其它任意真空系統(tǒng)組成雙系統(tǒng)。
更新時(shí)間:2025-07-26
美Nano-master磁控濺射系統(tǒng)
美nano-master磁控濺射系統(tǒng)：nsc-4000獨(dú)立式磁控濺射系統(tǒng)，可支持共濺射等能力的擴(kuò)展nsc-3500緊湊型獨(dú)立式熱蒸鍍，可以支持金屬材料的dc濺射，介質(zhì)材料的rf濺射，以及脈沖dc濺射等應(yīng)用。nsc-3000可支持多4個(gè)靶的dc濺射或rf濺射nsc-1000單金靶靶材的臺(tái)式濺射系統(tǒng)，不但可用于電鏡制備，也可以用于常規(guī)的金屬濺射
更新時(shí)間:2025-07-26
NANO-MASTER的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)PECVD系統(tǒng)
nano-master的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)pecvd系統(tǒng)npe-4000,可以制造高質(zhì)量的氧化硅、氮化硅、碳納米管、金剛石和碳化硅等薄膜；蹇梢匀菁{8英寸晶圓，可通過(guò)射頻、脈沖直流或者直流電源提供偏壓，可通過(guò)熱電阻或者紅外燈加熱到800°c。ns
更新時(shí)間:2025-07-26
美NANO-MASTER電子束蒸鍍系統(tǒng)
nano-master電子束蒸鍍系統(tǒng) nee-4000，可通過(guò)樣片掩膜實(shí)現(xiàn)組合蒸鍍，并可通過(guò)電腦控制單個(gè)電子束蒸鍍的蒸鍍速率。系統(tǒng)可支持共蒸鍍功能。能夠升支持自動(dòng)上下片，以及手動(dòng)或自動(dòng)翻轉(zhuǎn)樣片實(shí)現(xiàn)雙面鍍膜。該系列的e-beam電子束蒸鍍系統(tǒng)，也可以跟磁控濺射
更新時(shí)間:2025-07-26
美NANO-MASTER IBM離子銑/IBE離子束刻蝕系統(tǒng)
ibm離子銑/ibe離子束刻蝕系統(tǒng)：nie-4000 獨(dú)立式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nie-3500 緊湊型獨(dú)立式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nir-4000 獨(dú)立式 ibe / rie 雙刻蝕系統(tǒng)nie-3000 臺(tái)式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nsc-3000可支持多4個(gè)靶的dc濺射或rf濺射
更新時(shí)間:2025-07-26
美Nano-master等離子清洗/灰化系統(tǒng)
nano-master等離子清洗和灰化系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于廣泛的需求，從批處理和單晶圓的光刻膠剝離到晶圓表面改性都可以涵蓋。這些系統(tǒng)通過(guò)計(jì)算機(jī)控制，可以配套不同的等離子源，加熱和不加熱的基片夾具，以及獨(dú)一無(wú)二的從等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式的能力。$r
更新時(shí)間:2025-07-26
美Nano-master ALD/PEALD原子層沉積系統(tǒng)
美nano-master ald/peald原子層沉積：nld-4000 獨(dú)立式ald系統(tǒng)nld-3500 緊湊型獨(dú)立式ald系統(tǒng)nld-3000 臺(tái)式ald系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-07-26
美Nano-master RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)
美nano-master rie反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)nrr-4000 獨(dú)立式雙rie或icp刻蝕系統(tǒng)nre-4000 獨(dú)立式rie或icp系統(tǒng)nre-3000 臺(tái)式rie系統(tǒng)ndr-4000 深硅刻蝕系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-07-26
美Nano-master 熱真空太空模擬系統(tǒng)
美nano-master 熱真空太空模擬系統(tǒng) ndt-4000,是一款器件測(cè)試系統(tǒng)，俗稱(chēng)“熱真空系統(tǒng)”,可以用于真空和可控的均勻加熱以及冷卻循環(huán)條件下的器件或樣片測(cè)試。
更新時(shí)間:2025-07-26
美NANO-MASTER RTP快速退火爐
美nano-master rtp快速退火爐nrt-3500 緊湊型獨(dú)立式全自動(dòng)rtp系統(tǒng)nrt-4000 獨(dú)立式全自動(dòng)rtp系統(tǒng)nrt-4000 獨(dú)立式大批量rtp系統(tǒng)nir-4000 獨(dú)立式 ibe / rie 雙刻蝕系統(tǒng)nie-3000 臺(tái)式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nsc-3000可支持多4個(gè)靶的dc濺射或rf濺射
更新時(shí)間:2025-07-26
美NANO-MASTER SWC單晶圓清洗系統(tǒng)
美nano-master swc單晶圓清洗系統(tǒng)swc-3000 臺(tái)式單晶圓/掩膜版清洗系統(tǒng)swc-4000 立柜式單晶圓/掩膜版清洗系統(tǒng)swc-5000 帶25片cassette 機(jī)械手自動(dòng)清洗nrt-4000 獨(dú)
更新時(shí)間:2025-07-26
美Nano-master 大基片清洗機(jī)
美nano-master 大基片清洗機(jī) large substrate cleaning :lsc-4000 是一款獨(dú)立式清洗機(jī)，使用計(jì)算機(jī)控制，大可支持外徑21”的基片。
更新時(shí)間:2025-07-26
韓國(guó)Ecopia 全自動(dòng)變溫霍爾效應(yīng)測(cè)試儀
韓國(guó)ecopia 全自動(dòng)變溫霍爾效應(yīng)測(cè)試儀 hms-5300lth,溫度范圍：80k-573k,測(cè)量材料si, sige, sic, gaas, ingaas, inp, gan, tco(including ito),alzno, fecdte, zno 等所有半導(dǎo)體薄膜(p 型和 n 型)；
更新時(shí)間:2025-07-26
英國(guó)Quorum鍍金鍍碳一體機(jī)
英國(guó)quorum q150t plus 鍍金鍍碳一體機(jī)，是一款優(yōu)化設(shè)計(jì)的帶渦輪分子泵抽真空的鍍膜設(shè)備，真空度可達(dá)5x10-5mbar。可以濺射具有超細(xì)成膜顆粒的易氧化金屬，適用于高分辨率成像。同樣地，低散射可得到均勻而致密的無(wú)定形碳膜。
更新時(shí)間:2025-07-26
百及納米PancanNano電子束光刻機(jī)
新一代超高精度電子束光刻機(jī) p21，樣品尺寸覆蓋 2/4/6 英寸晶圓，超高寫(xiě)場(chǎng)拼接精度，電子束閉環(huán)控制系統(tǒng)，束流的時(shí)間及空間穩(wěn)定性高，高性能 30 kv 電子束光刻機(jī)。
更新時(shí)間:2025-07-26
OptiCool超精準(zhǔn)全開(kāi)放強(qiáng)磁場(chǎng)低溫光學(xué)研究平臺(tái)
opticool超精準(zhǔn)全開(kāi)放強(qiáng)磁場(chǎng)低溫光學(xué)研究平臺(tái)，系統(tǒng)擁有3.8英寸超大樣品腔、雙錐型劈裂磁體，可在超大空間為您提供高達(dá)±7t的磁場(chǎng)。多達(dá)7個(gè)側(cè)面窗口、1個(gè)頂部超大窗口方便光線由各個(gè)方向引入樣品腔，高度集成式的設(shè)計(jì)讓您的樣品在擁有低溫磁場(chǎng)的同時(shí)擺脫大型低溫系統(tǒng)的各種束縛。
更新時(shí)間:2025-07-26
低溫強(qiáng)磁場(chǎng)原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡
attoafm/attomfm/attoshpm 低溫強(qiáng)磁場(chǎng)原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡，采用模塊化的設(shè)計(jì)。利用標(biāo)配的控制器和樣品掃描臺(tái)，用戶(hù)僅需要更換掃描頭和對(duì)應(yīng)的光學(xué)部件即可實(shí)現(xiàn)不同功能之間的切換。
更新時(shí)間:2025-07-26
德國(guó)Sentech光伏測(cè)量?jī)x
德國(guó)sentech光伏測(cè)量?jī)xmdpmap，靈活的自動(dòng)掃描系統(tǒng)，是專(zhuān)為半導(dǎo)體晶片或部分工藝過(guò)的晶片的多功能、非接觸和少子壽命測(cè)量而設(shè)計(jì)的。mdpmap能夠連續(xù)地改變激發(fā)脈沖寬度，從非常短的脈沖(100ns)到穩(wěn)態(tài)測(cè)量(幾ms)，研究不同深度的缺陷動(dòng)力學(xué)和少子壽命特性。直觀的繪圖軟件適用于有效的常規(guī)測(cè)量以及復(fù)雜的研發(fā)應(yīng)用。
更新時(shí)間:2025-07-26
接觸角測(cè)量?jī)x
100s接觸角測(cè)量?jī)x是采用光學(xué)成像的原理，通過(guò)圖像輪廓分析方式測(cè)量樣品表面接觸角、潤(rùn)濕性能、表界面張力、表面能等性能，設(shè)備性?xún)r(jià)比高、功能全面、可滿(mǎn)足各種常規(guī)測(cè)量需要。
更新時(shí)間:2025-07-26
德國(guó)KRUSS標(biāo)準(zhǔn)型DSA25接觸角測(cè)量?jī)x
德國(guó)kruss標(biāo)準(zhǔn)型dsa25接觸角測(cè)量?jī)x，接觸角測(cè)量范圍：0-180，接觸角測(cè)量精度：±0.10，表界面張力測(cè)量范圍：0-1000mn/m；測(cè)量精度：0.01 mn/m
更新時(shí)間:2025-07-26
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000 系列紫外單面光刻機(jī)此系列包含六種型號(hào)：ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時(shí)間:2025-07-26
紫外雙面光刻機(jī)
ure-2000s 系列雙面光刻機(jī)，對(duì)準(zhǔn)精度：±2 mm（雙面,片厚 0.8mm），±0.8mm（單面）
更新時(shí)間:2025-07-26
德國(guó) Sentech 反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
entech rie si591 平板電容式反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝；小型化和高度模塊化；sentech控制軟件
更新時(shí)間:2025-07-26
德國(guó) Sentech 等離子刻蝕機(jī)
德國(guó)sentech icp-rie si 500 等離子刻蝕機(jī)，代表了電感耦合等離子體(icp)加工在研究和生產(chǎn)上的先優(yōu)勢(shì)。它以ptsa等離子體源、動(dòng)態(tài)控溫基片電、全控真空系統(tǒng)、先進(jìn)的sentech 控制軟件為基礎(chǔ)，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)，為操作si 500提供了非常人性化的通用用戶(hù)界面。靈活性和模塊化是si 500的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。
更新時(shí)間:2025-07-26
德國(guó) Sentech 等離子體 ICP 干法刻蝕機(jī)
sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統(tǒng)，感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)臺(tái)，低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕，高速率刻蝕，內(nèi)置icp等離子源，動(dòng)態(tài)溫控。
更新時(shí)間:2025-07-26
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000系列紫外單面光刻機(jī)，主要型號(hào)有：ure-2000a，ure-2000b，ure-20000/35,ure-20000/35a，ure-2000/25,ure-2000/17.由中國(guó)科學(xué)院制造生產(chǎn)。
更新時(shí)間:2025-07-26
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000/a8 紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn)。曝光面積： 200mm×200mm
更新時(shí)間:2025-07-26
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000a 型紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn)，曝光面積：150mmx150mm
更新時(shí)間:2025-07-26
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000b 型紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn)，曝光面積：100mmx100mm
更新時(shí)間:2025-07-26
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000/35 型紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn)，曝光面積：4 英寸 ，非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動(dòng)化程度高）和高校教學(xué)科研 （可靠性好，演示方便） 。
更新時(shí)間:2025-07-26
芬蘭 PICOSUN 原子層沉積機(jī)
芬蘭 picosun r-200標(biāo)準(zhǔn)型ald,為液體、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級(jí)的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長(zhǎng)顆粒度最小的薄膜層。 在最基本的picosun™ r系列配置中可以選擇多個(gè)獨(dú)立的，完全分離的源入口匹配多種類(lèi)型的前驅(qū)源。
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PICOSUN 生產(chǎn)型原子層沉積機(jī)
德國(guó) picosun p-1000 pro ald 生產(chǎn)型原子層沉積機(jī),156 mm x 156 mm硅片800～1000片/批次（雙面/背對(duì)背）,高達(dá)400 mm x 600 mm玻璃基板30～50片/批次（雙面/背對(duì)背）,(w x h x d) 230 cm x 270 cm x 125 cm,標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)為 al2o3 工藝.
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