其他產(chǎn)品及廠家

美國(guó)FCC電流鉗
特別高效的電流鉗(耦合系數(shù)小于7db),產(chǎn)生10v電平僅需20瓦功放,比傳統(tǒng)電流鉗可節(jié)省4-16倍的放大器功率,內(nèi)徑40mm,完全符合iec61000-4-6(gb/t 17626.6)的要求。
更新時(shí)間:2025-11-04
英國(guó)PEM 低頻羅氏線圈LFR
pem 低頻羅氏線圈-lfr系列是理想的電低頻流測(cè)試產(chǎn)品。且具有尺寸小巧、低相位誤差,超寬的頻帶范圍,使其可以測(cè)量被測(cè)信號(hào)的400次諧波(@45/65hz)。 低頻羅氏線圈--lfr對(duì)電流幅度的響應(yīng)曲線,有著高的線性度。配備有10:1的電流開關(guān)檔,使其有著更寬的動(dòng)態(tài)測(cè)試范圍.
更新時(shí)間:2025-11-04
英國(guó)PEM交流電流探頭RCTi系列
rcti是工業(yè)級(jí)專用永久安裝的交流電流探頭。傳感器線圈纖細(xì)、輕巧、柔性。從感應(yīng)線圈輸出實(shí)時(shí)的與測(cè)量電流相對(duì)應(yīng)的電壓。
更新時(shí)間:2025-11-04
美國(guó)Stangenes電流互感器2-1.0W
magnelab電流互感器(ct)提供準(zhǔn)確,無(wú)損(非接觸)的單或重復(fù)單或雙的測(cè)量 脈沖或連續(xù)波。
更新時(shí)間:2025-11-04
漏水探測(cè)儀數(shù)字濾波型
jt-5000漏水探測(cè)儀數(shù)字濾波型采用微處理器數(shù)字化處理線路,,在復(fù)雜的環(huán)境中亦可探測(cè)漏水,大屏液晶,小值顯示,實(shí)時(shí)漏水靈音,高靈敏主動(dòng)式傳感器,光電無(wú)觸點(diǎn)手柄開關(guān),大容量鋰離子充電電池。
更新時(shí)間:2025-11-04
漏水探測(cè)儀高靈敏智能型
jt-1a漏水探測(cè)儀高靈敏智能型采用微處理數(shù)化線路,高保真高降噪信號(hào)顯示,耳感逼真,清晰度高,高靈敏度傳感器,大容量充電鋰電池,輕量微型化機(jī)身。
更新時(shí)間:2025-11-04
手持式地下管道漏水檢測(cè)儀
jt-sc01手持式地下管道漏水檢測(cè)儀小巧便攜,手持即可檢測(cè),可檢測(cè)各種類型水、油、氣等壓力管道的泄漏,包括鋼、鑄鐵、pvc、水泥管及石棉管等。
更新時(shí)間:2025-11-04
管道泄漏檢測(cè)儀/漏水檢測(cè)儀/測(cè)漏儀/漏水探測(cè)儀
jt-3ax管道泄漏檢測(cè)儀采用了雙模傳感技術(shù)、現(xiàn)代音頻信號(hào)處理技術(shù)、嵌入式微處理器技術(shù)、智能數(shù)據(jù)分析及輔助圖形技術(shù)等當(dāng)先進(jìn)技術(shù),其聽音效果清晰、適合復(fù)雜工況場(chǎng)合、智能化數(shù)據(jù)分析、可靠穩(wěn)定,是款有效巡檢管道和定位泄漏的先進(jìn)測(cè)漏儀器。jt-3ax通過(guò)傳感器拾取地下壓力管道破損泄漏產(chǎn)生的振動(dòng)信號(hào)來(lái)準(zhǔn)確定位泄漏點(diǎn)的位置。
更新時(shí)間:2025-11-04
供應(yīng)管道漏水檢測(cè)儀/自來(lái)水管道漏水檢測(cè)儀/測(cè)漏儀/檢漏儀/查漏儀/聽漏儀
jt-2000型漏水檢測(cè)儀為袖珍便攜式漏水檢測(cè)儀,主機(jī)體積只有150mm×70mm×116mm大小,重約870克,攜帶操作為輕巧簡(jiǎn)便,整體設(shè)計(jì)采用全金屬外殼,堅(jiān)固耐用。
更新時(shí)間:2025-11-04
供應(yīng)管道測(cè)漏儀/漏水檢測(cè)儀/數(shù)字式漏水檢測(cè)儀/檢漏儀/查漏儀/聽漏儀
jt-3000漏水檢測(cè)儀是用于尋找并確定供水管道漏位置的用儀器,也可用于其它壓力管道系統(tǒng)的檢漏,當(dāng)管道內(nèi)流體在壓力下逸出時(shí),產(chǎn)生噪音能沿管道傳播,或沿埋層介質(zhì)傳播到地面,檢漏儀jt-3000能沿管線或其路面上方確定漏點(diǎn)位置。
更新時(shí)間:2025-11-04
供應(yīng)數(shù)字濾波漏水檢測(cè)儀/測(cè)漏儀/檢漏儀/聽漏儀/查漏儀
jt-5000智能型數(shù)字濾波管道漏水檢測(cè)儀采用微處理器數(shù)字化處理線路,在復(fù)雜的環(huán)境中亦可探測(cè)漏水,大屏液晶,小值顯示,實(shí)時(shí)漏水錄音,高靈敏主動(dòng)式傳感器,光電無(wú)觸點(diǎn)手柄開關(guān),大容量鋰離子充電電池。
更新時(shí)間:2025-11-04
供應(yīng)地下管道泄漏檢測(cè)儀/手持式管道漏水檢測(cè)儀/手持式管道測(cè)漏儀/檢漏儀/查漏儀/聽漏儀
jt-sc01型手持式智能數(shù)字式泄漏檢測(cè)儀特點(diǎn)是小巧便攜,手持即可檢測(cè)。其原理是各類水油氣等帶壓管道當(dāng)某處破損泄漏時(shí),壓力水油氣從管道破損處向處噴射,與管道破裂縫隙間的摩擦而產(chǎn)生振動(dòng)會(huì)引起噴注噪聲,這種聲音隨管道向兩側(cè)和埋設(shè)地面上方路面?zhèn)鞑ィ藭r(shí)用jt-sc01型泄漏檢測(cè)儀的傳感器在路面上方檢測(cè)這種微弱泄漏信號(hào),通過(guò)主機(jī)進(jìn)行放大顯示,并有選擇的過(guò)濾噪音,獨(dú)立出泄漏聲波,使操作者找到泄漏源
更新時(shí)間:2025-11-04
供應(yīng)智能型地下管線泄漏探測(cè)儀/管道漏水檢測(cè)儀/測(cè)漏儀/檢漏儀/查漏儀/聽漏儀
jt-1a地下管道泄漏檢測(cè)儀,是款性能其優(yōu)異的壓力管道泄漏檢測(cè)儀器,擁有超強(qiáng)的抗干擾與數(shù)據(jù)處理能力,輸出泄漏信號(hào)清晰靈敏,操作界面目了然,可以使您的工作更加輕松,它具有以下主要特點(diǎn):微處理器數(shù)字經(jīng)線路,高保真高降噪信號(hào)顯示,耳感逼真,清晰度高,高靈敏度傳感器,大容量充電鋰電池,輕量微型化機(jī)身。
更新時(shí)間:2025-11-04
德國(guó)萊默爾 Erhardt+Leimer張力信號(hào)放大器,E+L張力變送器
德國(guó)萊默爾 erhardt+leimer張力信號(hào)放大器,e+l張力變送器 cv2201erhardt + leimer是一家面向國(guó)際的私有集團(tuán)公司,其總部位于德國(guó)奧格斯堡。它成立于1919年,到2019年,在 擁有c過(guò)1600名員工。在2019年,他們的營(yíng)業(yè)額達(dá)到1.75億歐元。
更新時(shí)間:2025-11-04
慢走絲過(guò)濾器,慢走絲離子交換樹脂
本公司長(zhǎng)期有:三菱線切割原廠配件,沙迪克線切機(jī)原廠配件,西部線切割機(jī)原廠配件,日立線切割機(jī)原廠配件,慶鴻線切割機(jī)原廠配件,亞特/茗亞線切割機(jī)原廠配件,富士通線切割機(jī)原廠配件,夏米爾線切割機(jī)原廠配件,臺(tái)灣三貴火花機(jī)用配件等。多種線切割與打孔機(jī)配件,耗材批發(fā)出售。
更新時(shí)間:2025-11-04
磨床永磁吸盤廠家直銷保修一年
各規(guī)格型號(hào)磁盤:電磁吸盤,加工中心強(qiáng)力吸盤,磨床永磁吸盤,雕刻機(jī)細(xì)目永磁 吸盤,火花機(jī)磁盤,線切割磁盤,磨刀機(jī)專業(yè)磁盤,一體正弦臺(tái),彎弓正弦臺(tái),雙傾正弦臺(tái),旋轉(zhuǎn)磁臺(tái),直角磁臺(tái),圓形吸盤,紅銅.黃銅永磁吸盤,雙面永磁吸盤,導(dǎo)磁塊等……機(jī)床精密配件.定做非標(biāo)吸盤
更新時(shí)間:2025-11-04
日本NIKON高度計(jì)
日本 nikon高度計(jì):加高型精密高度計(jì),量程小于等于100mm的產(chǎn)品高度、厚度與深度測(cè)量。日本nikon高度計(jì):流水生產(chǎn)線可以每線一臺(tái),高精度高效測(cè)量,是高精度產(chǎn)品生產(chǎn)企業(yè)最佳選擇。日本nikon高度計(jì):選配特殊測(cè)針,可完成小深孔,盲孔測(cè)量,這是三坐標(biāo),影像儀,投影儀與顯微鏡無(wú)法代替的特點(diǎn),特制測(cè)頭還可測(cè)
更新時(shí)間:2025-11-04
德國(guó)Minro米諾高度計(jì)特價(jià)批發(fā)
米諾高度計(jì)非常順滑的柱塞運(yùn)動(dòng)。米諾高度計(jì)周期可靠性優(yōu)于2,000,000hz,保證高速位移時(shí)不丟失數(shù)據(jù)。米諾高度計(jì)靈活選擇的探針。米諾高度計(jì)0-50mm或0-100mm的測(cè)量范圍可選。
更新時(shí)間:2025-11-04
寧波CNC高速電火花細(xì)孔穿孔機(jī)
余姚高速電火花穿孔機(jī)采用電極管(黃銅管,紫銅管)作為工具電極利用電火花放電蝕除原理,在電極與工作之間施加高頻脈沖電源形成小脈寬,電流的放電加工,輔以高壓水冷卻排渣,使工件的蝕除速度加快,特別適用于不銹鋼,淬火鋼,銅,鋁,硬質(zhì)合金等各種導(dǎo)電材料上加工直徑0.15-2.0之間的深小孔,深度100mm,可直接在工件的斜面,曲加工,用于電火花線切割加工的穿絲孔,化纖噴絲頭,噴絲板的噴絲孔,濾板,篩板的群孔
更新時(shí)間:2025-11-04
泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具
泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具 泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具,硬件測(cè)試,ddr測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
更新時(shí)間:2025-11-04
ETS-LINDGREN近場(chǎng)探頭,硬件測(cè)試,開放實(shí)驗(yàn)室,DDR測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 ets-lindgren 7405近場(chǎng)探頭 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-11-04
Nemtest dito靜電放電模擬器,硬件測(cè)試,開放實(shí)驗(yàn)室,DDR測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 nemtest dito 靜電放電模擬器 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-11-04
PCIE2.0 3.0 驗(yàn)證 調(diào)試和一致性測(cè)試解決方案
遇到的問(wèn)題pcie link不穩(wěn)定配置空間讀寫正常,memory mapping空間讀寫異常
更新時(shí)間:2025-11-04
PCIE2.0 3.0 物理層一致性測(cè)試
cie2.0 3.0 物理層致性測(cè)試pcie總線與pci總線不同,pcie總線使用端到端的連接方式,在條pcie鏈路的兩端只能各連接個(gè)設(shè)備,這兩個(gè)設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成,目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路,還有幾乎不使用的×12鏈路。
更新時(shí)間:2025-11-04
PCIE2.0 3.0 TX 發(fā)送 物理層一致性測(cè)試
pcie總線的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類似之處,但是pcie總線的各個(gè)層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中,數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生,然后再經(jīng)過(guò)該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer),終發(fā)送出去。
更新時(shí)間:2025-11-04
PCIE2.0 3.0 RX 接收 物理層一致性測(cè)試
pcie2.0 3.0 rx 接收 物理層致性測(cè)試當(dāng)pcie設(shè)備進(jìn)入休眠狀態(tài),主電源已經(jīng)停止供電時(shí),pcie設(shè)備使用該信號(hào)向處理器系統(tǒng)提交喚醒請(qǐng)求,使處理器系統(tǒng)重新為該pcie設(shè)備提供主電源vcc。
更新時(shí)間:2025-11-04
PCIE Gen2/Gen3/Gen4 發(fā)送端 信號(hào)質(zhì)量一致性測(cè)試
pcie 初始化完成后會(huì)進(jìn)入l0狀態(tài)。異常狀態(tài)見(jiàn)pcie link 異常log。物理層link 不穩(wěn)定,懷疑以下原因:- 高速串行信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題- serdes電源問(wèn)題- 時(shí)鐘問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-11-04
pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試集成電路的發(fā)明是人類歷史上的大創(chuàng)舉,它大地推動(dòng)了人類的現(xiàn)代文明進(jìn)程,在天無(wú)時(shí)無(wú)刻不在影響著我們的生活。進(jìn)入 21 世紀(jì)以來(lái),集成電路的發(fā)展則更是狂飆猛進(jìn)。天的大規(guī)模集成電路生產(chǎn)和制造工藝已經(jīng)達(dá)到 10 nm 量產(chǎn)水平,更高的集成度意味著同等體積下提供了更高的性能,當(dāng)然對(duì)業(yè)內(nèi)從業(yè)者來(lái)說(shuō)遇到的挑戰(zhàn)和問(wèn)題也就越來(lái)越嚴(yán)峻。
更新時(shí)間:2025-11-04
pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試在個(gè)處理器系統(tǒng)中,般提供×16的pcie插槽,并使用petp0~15、petn0~15和perp0~15、pern0~15共64根信號(hào)線組成32對(duì)差分信號(hào),其中16對(duì)petxx信號(hào)用于發(fā)送鏈路,另外16對(duì)perxx信號(hào)用于接收鏈路。除此之外pcie總線還使用了下列輔助信號(hào)。
更新時(shí)間:2025-11-04
Pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試日益降低的信號(hào)幅度必將帶來(lái)信噪比(snr)的挑戰(zhàn),也即隨著信號(hào)幅度越來(lái)越低,對(duì)整個(gè) 電路系統(tǒng)的噪聲要求也越來(lái)越嚴(yán)格。尤其是在近 3 年來(lái)越來(lái)越熱的pam 調(diào)制,比如廣泛用于 200g/400g 傳輸?shù)?pam-4 技術(shù),由于采用 4 電平調(diào)制,其對(duì)信噪比的要求比采用nrz 編碼的信噪比要高 9db.
更新時(shí)間:2025-11-04
Pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試ci總線定義了兩類配置請(qǐng)求,個(gè)是type00h配置請(qǐng)求,另個(gè)是type 01h配置請(qǐng)求。
更新時(shí)間:2025-11-04
Pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試電子產(chǎn)品發(fā)展到當(dāng)?shù)臅r(shí)代,工程界已經(jīng)積累了很多實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),再搭上互聯(lián)網(wǎng)大力 發(fā)展的快車,每位工程師都可以很輕松地從其他人的工程經(jīng)驗(yàn)分享中獲得很多有價(jià)值和 有助于自己設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn),但是經(jīng)驗(yàn)并不是金科玉律,也不是都適合工程師特殊的設(shè)計(jì)需求。
更新時(shí)間:2025-11-04
Pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試下面是個(gè) ddr3 設(shè)計(jì)的實(shí)際案例。按照傳統(tǒng)的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),工程師會(huì)按照主芯片給的設(shè)計(jì)規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)。結(jié)合項(xiàng)目工程的需要,其 ddr3 的采用的是 t 型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu), ecc 放置在如下圖 5 圓圈中所示位置。在生產(chǎn)完成后的調(diào)試過(guò)程中,發(fā)現(xiàn) ddr3 的信號(hào)出現(xiàn)非單調(diào)性。
更新時(shí)間:2025-11-04
Pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試deviceid和vendor id寄存器這兩個(gè)寄存器的值由pcisig分配,只讀。其中vendor id代表pci設(shè)備的生產(chǎn)廠商,而device id代表這個(gè)廠商所生產(chǎn)的具體設(shè)備。如xilinx公司的k7,其vendor id為0x10ee,而device id為0x7028。
更新時(shí)間:2025-11-04
Pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試獲得的信號(hào)波形沒(méi)有出現(xiàn)非單調(diào)的情況。按照以上設(shè)計(jì)改板后的測(cè)試結(jié)果與仿真 致。 如果不進(jìn)行仿真,那么只能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行測(cè)試才能發(fā)現(xiàn)問(wèn)題,如果要改善, 只能再改板調(diào)整,還可能出現(xiàn)改板很多次的情況,這樣就會(huì)延遲產(chǎn)品上市時(shí)間并增加物料成本。
更新時(shí)間:2025-11-04
梅特勒電極(有問(wèn)題,產(chǎn)品上留有碎渣)
梅特勒電極ha405-dpa-sc-s8/120(有問(wèn)題,產(chǎn)品上留有碎渣) 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 儀器租賃
更新時(shí)間:2025-11-04
EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC5 復(fù)位測(cè)試
emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state,發(fā)送完 cid 后,emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
更新時(shí)間:2025-11-04
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
更新時(shí)間:2025-11-04
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host,頻率與 clk 信號(hào)相同,用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用,啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆(wěn)定性,省去總線 tuning 過(guò)程。
更新時(shí)間:2025-11-04
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試
更新時(shí)間:2025-11-04
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試
更新時(shí)間:2025-11-04
控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試 EMMC 復(fù)位測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣,固定為 "0",在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下,cmd 信號(hào)保持高電平,當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí),host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào),并開始接收 response。
更新時(shí)間:2025-11-04
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣,固定為 "0",在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下,cmd 信號(hào)保持高電平,當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí),host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào),并開始接收 response。
更新時(shí)間:2025-11-04
clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試,眼圖測(cè)試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值,不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對(duì)應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
更新時(shí)間:2025-11-04
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試在 ddr 模式下,data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù),其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) (byte 1,3,5...),下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)(byte 2,4,6 ...)。
更新時(shí)間:2025-11-04
復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí),host 可以發(fā)送 cmd19 命令,觸發(fā)總線測(cè)試過(guò)程(bus testing procedure),測(cè)試總線硬件上的連通性。
更新時(shí)間:2025-11-04
EMMC 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí),焊盤部分要增加敷銅禁布框,避免銅皮分布不均影響散熱,導(dǎo)致貼片虛焊。
更新時(shí)間:2025-11-04
EMMC 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過(guò)大的問(wèn)題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式,發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚夾地線,而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上,整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲,于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
更新時(shí)間:2025-11-04
EMMC 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
更新時(shí)間:2025-11-04

最新產(chǎn)品

熱門儀器: 液相色譜儀 氣相色譜儀 原子熒光光譜儀 可見(jiàn)分光光度計(jì) 液質(zhì)聯(lián)用儀 壓力試驗(yàn)機(jī) 酸度計(jì)(PH計(jì)) 離心機(jī) 高速離心機(jī) 冷凍離心機(jī) 生物顯微鏡 金相顯微鏡 標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) 生物試劑