其它產(chǎn)品及廠家
變溫范圍為4k-325k時，使用硅二管溫度傳感器，變溫范圍80k-325k時，使用有著良好穩(wěn)性和重復性的 pt100 鉑電阻，放在磁場中，使用cernoxtm磁場不敏感溫度計。
更新時間:2025-06-12
錦正茂的液氮恒溫器在氧化物界面處的二維電子體系（2des）做為一個獨特的平臺，將典型復合氧化物、強電子相關(guān)的低溫物理特性以及由2des有限厚度引起的量子限域集成于一體。
更新時間:2025-06-12
錦正茂科技有限公司擁有自己的磁場開發(fā)團隊，在亥姆霍茲線圈的設(shè)計方面具有豐富的經(jīng)驗，生產(chǎn)的亥姆霍茲線圈的質(zhì)量和穩(wěn)定性具有其它廠家無法比﹡的優(yōu)越性？蔀槟峁┮痪S，二維和三維的亥姆霍茲線圈。
更新時間:2025-06-12
霍爾效應(yīng)系統(tǒng)軟件：可數(shù)字化調(diào)節(jié)磁場及電流,測試各類材料參數(shù)，
更新時間:2025-06-12
旋轉(zhuǎn)磁光克爾效應(yīng)（rotmoke）是在磁光克爾效應(yīng)測量基礎(chǔ)上的一種類似于轉(zhuǎn)矩測量各向異性的實驗方法，可以定量的得到樣品的磁各向異性的值。
更新時間:2025-06-12
變溫范圍為4k-325k時，使用硅二管溫度傳感器，變溫范圍80k-325k時，使用有著良好穩(wěn)性和重復性的 pt100 鉑電阻
更新時間:2025-06-12
可在真空環(huán)境下對樣品進行光學，電學測試，測試中也可實現(xiàn)惰性氣體的快速充放。
更新時間:2025-06-12
高阻型霍爾效應(yīng)測試儀半導體材料測量儀器 可測試材料: 半導體材料：sige, sic, inas, ingaas, inp, algaas, hgcdte 和鐵氧體材料等
更新時間:2025-06-12
利用磁光克爾效應(yīng)測量磁性薄膜的磁信號和磁滯回線，確定磁性薄膜的磁各向異性隨薄膜厚度的影響。
更新時間:2025-06-12
fcp磁場控制平臺標準配置：testik475有1個計算機接口：rs-232串口:。這個接口可以設(shè)置所有儀器參數(shù)和測量值得讀回。在磁場控制期間，接口的讀數(shù)率是額定每30個讀數(shù)。475的labview驅(qū)動是提供的（選配）。磁場控制平臺不含應(yīng)用軟件。
更新時間:2025-06-12
內(nèi)置測試矩陣轉(zhuǎn)換卡； 7 1 歐姆接觸套件 根據(jù)不同材料的歐姆接觸制作套件
更新時間:2025-06-12
主要用于低溫、真空環(huán)境下的磁學測量、光學測量、光電反應(yīng)、光反射、熒光和磁阻等試驗。
更新時間:2025-06-12
結(jié)構(gòu)緊湊、性價比高、達到低溫不消耗制冷劑，維護周期長、擴展性強、使用方便。
更新時間:2025-06-12
錦正茂磁場強度測試儀可原位測量磁性材料從液氮溫區(qū)至室溫或室溫至500℃溫區(qū)的磁性能隨溫度的變化曲線。
更新時間:2025-06-12
為了提高磁場強度還可以配做鐵鈷合金頭，可以加工均勻磁場頭、梯度磁場頭；可加工電磁鐵旋轉(zhuǎn)臺、電磁鐵護罩、電磁鐵配套底座、底車、底箱等。
更新時間:2025-06-12
加熱保溫及測溫系統(tǒng):加熱系統(tǒng)采用國產(chǎn)電阻絲，保*了溫度均勻性。保溫材料采用國產(chǎn)爐膛材料，不掉粉、材料保溫性能好、反射率高、溫場均衡，抗熱漲冷縮能力強。
更新時間:2025-06-12
cs™制冷機銅導熱帶：門冷頭/界面設(shè)計。所有cs™銅導熱帶有兩排銅纜組成，每排銅纜由15-26組銅辮組成，大程度增加導熱能力。
更新時間:2025-06-12
廣泛用于磁光測量系統(tǒng)、vsm測量系統(tǒng)、在線退火、霍爾效應(yīng)、磁化率測量、自旋磁共振、b-h曲線測量和精準的傳感器校準等域。
更新時間:2025-06-12
為本儀器系統(tǒng)門研制的jh10 效應(yīng)儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關(guān)組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。
更新時間:2025-06-12
真空夾層內(nèi)裝有低溫吸附劑，能增長真空保持時間，延長液氮使用時間。溫度傳感器采用有著良好穩(wěn)定性和重復性的 pt100 鉑電阻。
更新時間:2025-06-12
電阻測量范圍寬：100nω（低電阻選件）～ 100gω（高阻系統(tǒng)）；使用插入式樣品卡，樣品安裝方便，同時提供四探針卡，免去制作電的麻煩
更新時間:2025-06-12
地球磁場的抵消、判定磁屏蔽效應(yīng)、電子設(shè)備的磁化系數(shù)、磁通門計和航海設(shè)備的校準、生物磁場的研究及與磁通計配合使用檢測永磁體特性。
更新時間:2025-06-12
vft光纖過真空裝置可以將光導入或?qū)С稣婵帐，以實現(xiàn)超高真空的應(yīng)用場合，例如半導體處理的光學監(jiān)測和薄膜吸附的*終檢測。
更新時間:2025-06-12
錦正茂直銷實驗室電磁鐵em系列電磁場設(shè)備小氣隙時用于鐵氧體產(chǎn)品的充磁和磁性產(chǎn)品的磁化處理。
更新時間:2025-06-12
可測試材料: 半導體材料：sige, sic, inas, ingaas, inp, algaas, hgcdte 和鐵氧體材料等； 低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、tmr 材料等； 高阻抗材料：半絕緣的 gaas, gan, cdte 等。
更新時間:2025-06-12
使用范圍：主要用于低溫、真空環(huán)境下的磁學測量、光學測量、光電反應(yīng)、光反射、熒光和磁阻等試驗。
更新時間:2025-06-12
退火過程：在強磁場（或無磁）環(huán)境下對樣品進行加熱，加熱到一定溫度（用戶需要自己設(shè)定）并保持在該溫度，再持續(xù)加一個磁場（可隨時變化），達到用戶的目的后，關(guān)閉磁場，關(guān)閉加熱環(huán)境，冷卻到室溫。
更新時間:2025-06-12
測量的多種曲線和特性參數(shù)即可在微機屏幕上顯示，軟件可對數(shù)據(jù)進行任意選取，局部放大，平移，可對曲線進行平滑處理，也可在激光打印機上輸出打；還可由其它通用繪圖軟件上進行處理。
更新時間:2025-06-12
最新產(chǎn)品
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- 日本得樂TECLOCK指針式深度計深度規(guī) 2025/6/12 14:28:19
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- 日本得樂TECLOCK指針式深度計深度規(guī) 2025/6/12 14:23:53
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- 日本得樂TECLOCK指針式深度計深度規(guī) 2025/6/12 14:15:52
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