化學(xué)氣相沉積設(shè)備產(chǎn)品及廠家

德國iplas微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
德國iplas微波等離子化學(xué)氣相沉積 iplas mpcvd 915mhz系統(tǒng),德國 iplas公司的獨家利多天線耦合微波等離子技術(shù)（cyrannus®），可在反應(yīng)腔中實現(xiàn)高的 sp3 鍵轉(zhuǎn)化率，使得腔體中充滿過飽和原子氫和含碳基團，從而有效地提高了沉積速率并且使得金剛石的沉積質(zhì)量得到改善，這正是獲取優(yōu)質(zhì)金剛石的技術(shù)基礎(chǔ)。
更新時間:2025-07-25
德國Netzsch 差示掃描量熱儀
德國netzsch 差示掃描量熱儀dsc 3500 sirius，該技術(shù)操作簡便，分析快速，在研發(fā)、制造和質(zhì)量檢驗域中逐漸成為不可取代的檢測技術(shù)。針對具體材料、產(chǎn)品的應(yīng)用和性能評估及解析，對應(yīng)有各種各樣的標(biāo)準(zhǔn)（如astm，din，iso等）。
更新時間:2025-07-25
Appsilon MPCVD
appsilon mpcvd
更新時間:2025-07-25
Syskey CVD Cluster 化學(xué)氣相沉積
syskey cvd cluster 化學(xué)氣相沉積，pecvd和peald系統(tǒng)可以組合在一起，實現(xiàn)薄膜的多層沉積封裝。單室僅用于某些薄膜沉淀。樣品在兩者之間轉(zhuǎn)移自動處理腔室。
更新時間:2025-07-25
Syskey 離子束刻蝕機 IBE
syskey 離子束刻蝕機 ibe, 離子束蝕刻（ibe）是一種先 進(jìn)的蝕刻技術(shù)，利用離子源去除來自基材表面的材料具有卓 越的均勻性和精度。國際教育局可以適用于金屬、氧化物、半導(dǎo)體、有機物等多種材料化合物。這種蝕刻方法涉及使用帶電粒子的高能束，通常是氬離子，用于物理去除樣品表面的材料。
更新時間:2025-07-25
Syskey 感應(yīng)耦合-反應(yīng)離子刻蝕機 ICP-RIE
syskey 感應(yīng)耦合-反應(yīng)離子刻蝕機 icp-rie,用于氧化物和氮化物蝕刻的 icp-rie 系統(tǒng)。氣體管線可實現(xiàn)金屬蝕刻。全自動作，支持一鍵工序。
更新時間:2025-07-25
Syskey RIE 反應(yīng)離子刻蝕機
syskey rie 反應(yīng)離子刻蝕機，我們生產(chǎn)用于氧化物和氮化物蝕刻的 rie 系統(tǒng)。氣體管線可實現(xiàn)硅基材料刻蝕。全自動作，支持一鍵工序。
更新時間:2025-07-25
Syskey 等離子增強化學(xué)氣相沉積 PECVD
syskey 等離子增強化學(xué)氣相沉積 pecvd? 靈活的基板尺寸可達(dá) 12 英寸? 基板支架加熱至 400 °c? 優(yōu) 異的薄膜均勻性，低于 ±5％? 6 條反應(yīng)性氣體管路，適用于 sio2、si3n4 沉積? 用選定的目標(biāo)材料沉積多層薄膜? 負(fù)載鎖定是可選的? 等離子自清潔是可選的? teos 工藝是可選的
更新時間:2025-07-25
Syskey 等離子增強原子沉積 PEALD
syskey 等離子增強原子沉積 peald,我們生產(chǎn)用于超薄氧化物和氮化物涂層的 ald 和 peald 系統(tǒng)。6 前體線路可支持5種材料沉積，氣體管路拓寬反應(yīng)窗戶。緊湊的手套箱集成不占用額外的實驗室空間。
更新時間:2025-07-25
Syskey 小型多腔體鍍膜機 Mini Cluster
syskey 小型多腔體鍍膜機 mini cluster, 靈活的基板尺寸可達(dá) 2 英寸。? 基板支架加熱或冷卻。? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％。? 濺射/電子束/熱/離子蝕刻/氧化/退氣? 用選定的靶材沉積多層薄膜。? torr 可針對不同設(shè)備進(jìn)行選擇。- 可與手套箱集成。
更新時間:2025-07-25
Syskey 積沉多腔體鍍膜系系統(tǒng) PVD Cluster
syskey 積沉多腔體鍍膜系系統(tǒng) pvd cluster,靈活的基板尺寸可達(dá) 12 英寸? 基板支架加熱或冷卻? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 濺射/電子束/熱/離子蝕刻/氧化/退氣? 用選定的目標(biāo)材料沉積多層薄膜? torr 可選擇用于不同的設(shè)備- 可與手套箱集成
更新時間:2025-07-25
Syskey 超高真空電子束鍍膜 UHV E-beam
syskey 超高真空電子束鍍膜 uhv e-beam, ? 靈活的基板尺寸可達(dá) 12 英寸? 基板支架水、油或 ln2 冷卻和傾斜? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 4/6/8 個口袋電子束光源（每個口袋最多 40 cc）? 6 kw 電源可支持大部分材料蒸發(fā)? 用選定的目標(biāo)材料沉積多層薄膜? 2.pngtorr 是可選的鋁基約瑟夫森結(jié)? 可與其他沉積系統(tǒng)集成
更新時間:2025-07-25
Syskey Lift-off E-beam 電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)
syskey lift-off e-beam 電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)，靈活的基板尺寸可達(dá) 12 英寸? 基板支架水、油或 ln2 冷卻? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 4/6/8 個口袋電子束源（每個口袋最多 40 cc）? 6 kw 電源可支持大部分材料蒸發(fā)? 用選定的目標(biāo)材料沉積多層薄膜? 負(fù)載鎖定是可選的，效率高? 可與其他沉積系統(tǒng)集成? 樣品傾斜是可選的
更新時間:2025-07-25
Syskey 高真空電子束鍍膜系統(tǒng) HV E-beam
syskey 高真空電子束鍍膜系統(tǒng) hv e-beam,靈活的基板尺寸可達(dá) 12 英寸? 基板支架加熱至 800 °c 或水/油/ln2 冷卻? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 4/6/8 個口袋電子束源（每個口袋最多 40 cc）? 6 kw 電源可支持大部分材料蒸發(fā)? 用選定的目標(biāo)材料沉積多層薄膜? 可與其他沉積技術(shù)或沉積系統(tǒng)集成
更新時間:2025-07-25
Syskey 超高真空熱蒸發(fā)鍍膜機UHV Thermal
syskey 超高真空熱蒸發(fā)鍍膜機uhv thermal, ? 靈活的基板尺寸可達(dá) 8 英寸? 基板支架加熱至 800 °c? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 船和電池源（數(shù)量最多 6 個）? 可以共蒸發(fā)和摻雜。? 用選定的目標(biāo)材料沉積多層薄膜? 可與其他沉積系統(tǒng)集成
更新時間:2025-07-25
Syskey 高真空熱蒸發(fā)鍍膜機HV Thermal
syskey 高真空熱蒸發(fā)鍍膜機hv thermal，全自動系統(tǒng)可滿足各種應(yīng)用要求，包括oled、opv、opd等。? 基板支架水冷或油冷? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 船和電池源（數(shù)量最多 12 個）? 可以共蒸發(fā)和摻雜? 用選定的目標(biāo)材料沉積多層薄膜- 可與手套箱集成
更新時間:2025-07-25
Syskey 超高真空磁控濺射鍍膜機 UHV Sputter
超高真空磁控濺射鍍膜機 uhv sputter,? 基板支架加熱至 800 °c? 優(yōu) 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 磁控濺射源（數(shù)量最多 8 個），可選強磁版本? 用于非導(dǎo)電或?qū)щ娔繕?biāo)的射頻、直流或脈沖直流? 使用選定的目標(biāo)材料沉積多層薄膜? 可與其他特高壓沉積系統(tǒng)集成
更新時間:2025-07-25
Syskey高真空濺射系統(tǒng) HV Sputter
高真空濺射系統(tǒng) hv sputter，靈活的基板尺寸，最大可達(dá)12英寸或200×200毫米- 基板架加熱溫度最高可達(dá)800℃- 出 色的薄膜均勻性，誤差小于±3％- 最多可配備5個6英寸磁控濺射源（可選配3或4個）- 支持射頻、直流或脈沖直流，適用于非導(dǎo)電或?qū)щ姲胁? 可選配射頻清洗和刻蝕功能- 可沉積多層薄膜，選用特定目標(biāo)材料- 可與其他沉積系統(tǒng)集成
更新時間:2025-07-25
Syskey 緊湊式熱蒸發(fā)系統(tǒng) Compact Thermal
syskey 緊湊式熱蒸發(fā)系統(tǒng) compact thermal 靈活的基板尺寸，最大可達(dá)6英寸- 基板架加熱溫度最高可達(dá)500℃- 出 色的薄膜均勻性，誤差小于±3％- 可選配電子束或熱舟蒸發(fā)源（最多3個）- 速率控制沉積- 可沉積多層薄膜，選用特定目標(biāo)材料- 可選配負(fù)載鎖定腔室
更新時間:2025-07-25
Syskey 緊湊式濺射系統(tǒng) Compact Sputter
syskey 緊湊式濺射系統(tǒng) compact sputter，- 靈活的基板尺寸，最大可達(dá)6英寸- 基板架加熱溫度最高可達(dá)500℃- 出 色的薄膜均勻性，誤差小于±3％- 最多可配備5個6英寸磁控濺射源（可選配3或4個）- 支持射頻、直流或脈沖直流電源- 最 多可支持3條氣體管路- 支持順序沉積和共沉積- 可選配負(fù)載鎖定腔室
更新時間:2025-07-25
維意真空等離子增強化學(xué)氣象沉積鍍膜設(shè)備支持定制
pe-cvd結(jié)構(gòu)特點介紹：pecvd系列真空管式高溫?zé)Y(jié)爐如圖所示,集控制系統(tǒng)與爐膛為一體；2、爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料，采用進(jìn)口高溫合金電阻絲為加熱元件；3、高純石英管橫穿于爐體中間作為的爐膛，爐管兩端用不銹鋼法蘭密封，工件式樣在管中加熱，加熱元件與爐管平行，均勻地分布在爐管外，有效的保證了溫場的均勻性；支持定制15611171559.
更新時間:2025-07-24
ZKP不銹鋼304法蘭連接真空破壞閥
zkp不銹鋼304法蘭連接真空破壞閥是一種安全保護裝置，主要用于防止管道或容器因負(fù)壓（真空）導(dǎo)致設(shè)備塌陷、水錘破壞或機組損壞。其核心功能是在系統(tǒng)壓力低于大氣壓時自動開啟，導(dǎo)入空氣破壞真空；系統(tǒng)恢復(fù)正壓時自動關(guān)閉，確保密封。
更新時間:2025-07-22
GD-J 304不銹鋼法蘭連接手動真空擋板閥
gd-j 304不銹鋼法蘭連接手動真空擋板閥用于接通或切斷真空管路中的氣流。適用介質(zhì)為純凈空氣和非腐蝕性氣體。高真空擋板閥按軸封結(jié)構(gòu)可分gd-j型橡膠軸封和gd-j(b)型波紋管軸封兩種。按通導(dǎo)形式可分gd-j為角通型式，gd-s為帶預(yù)抽口的三通型式。適用范圍：10^5～6.7×10^-4pa(軸封為橡膠) 閥門漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.(軸封為橡膠）
更新時間:2025-07-22
CCQ 304不銹鋼氣動超高真空插板閥
ccq氣動超高真空插板閥是通過電磁換向閥改變氣路方向，控制執(zhí)行氣缸驅(qū)動閥板作上下運動，達(dá)到閥門的開啟或關(guān)閉。閥門用于接通或切斷真空管路中的氣流。適用介質(zhì)為純凈空氣和非腐蝕性氣體。帶反饋信號裝置。 適用范圍：10^5～1.3×10-7pa 閥門漏率：≤1.3×10-8pa.l/s.
更新時間:2025-07-22
GUQ-KF 304不銹鋼氣動三片式高真空卡箍球閥
guq型三片式氣動真空球閥是以氣動裝置驅(qū)動閥桿與球芯來執(zhí)行啟閉動作，達(dá)到接通或切斷真空(壓力)系統(tǒng)管路中的介質(zhì)流。應(yīng)用于真空、乳制品、酒業(yè)、生物工程、食品、制藥、飲料、化妝品及化工領(lǐng)域。適用范圍：0.1×10^6～1.3×10-4pa 閥門漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.
更新時間:2025-07-22
GUQ 304不銹鋼氣動三片式高真空法蘭球閥
guq型三片式氣動真空球閥是以氣動裝置驅(qū)動閥桿與球芯來執(zhí)行啟閉動作，達(dá)到接通或切斷真空(壓力)系統(tǒng)管路中的介質(zhì)流。應(yīng)用于真空、乳制品、酒業(yè)、生物工程、食品、制藥、飲料、化妝品及化工領(lǐng)域。適用范圍：0.6×10^6～1.3×10-4pa 閥門漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.
更新時間:2025-07-22
GUD-KF 304不銹鋼電動三片式高真空卡箍球閥
gud型三片式電動高真空(壓力)球閥是以電動裝置驅(qū)動閥桿與球芯來執(zhí)行啟閉動作，達(dá)到接通或切斷真空(壓力)系統(tǒng)管路中的介質(zhì)流。應(yīng)用于真空、乳制品、酒業(yè)、生物工程、食品、制藥、飲料、化妝品及化工領(lǐng)域。適用范圍：0.1×10^6～1.3×10-4pa 閥門漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.
更新時間:2025-07-22
GUD 304不銹鋼電動三片式高真空法蘭球閥
gud型三片式電動高真空(壓力)球閥是以電動裝置驅(qū)動閥桿與球芯來執(zhí)行啟閉動作，達(dá)到接通或切斷真空(壓力)系統(tǒng)管路中的介質(zhì)流。應(yīng)用于真空、乳制品、酒業(yè)、生物工程、食品、制藥、飲料、化妝品及化工領(lǐng)域。適用范圍：0.6×10＊6～1.3×10-4pa 閥門漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.
更新時間:2025-07-22
GU-KF 304不銹鋼手動三片式高真空卡箍球閥
gu型三片式高真空(壓力)球閥用于接通或切斷真空(壓力)系統(tǒng)管路中的介質(zhì)流。應(yīng)用于真空、乳制品、酒業(yè)、生物工程、食品、制藥、飲料、化妝品及化工領(lǐng)域。適用范圍：0.1×10^6～1.3×10-4pa 閥門漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.
更新時間:2025-07-22
GU 304不銹鋼手動三片式高真空法蘭球閥
gu型三片式高真空(壓力)球閥用于接通或切斷真空(壓力)系統(tǒng)管路中的介質(zhì)流。應(yīng)用于真空、乳制品、酒業(yè)、生物工程、食品、制藥、飲料、化妝品及化工領(lǐng)域。適用范圍：0.6×10^6～1.3×10-4pa 閥門漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.
更新時間:2025-07-22
GID 304電動高真空法蘭蝶閥
gid電動高真空法蘭蝶閥 是以電動裝置驅(qū)動閥桿與閥板執(zhí)行啟閉動作。用于接通或切斷真空管路中的氣流。適用介質(zhì)為純凈空氣和非腐蝕性氣體。 適用范圍：10^5～1.3×10-4pa 閥門漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.
更新時間:2025-07-22
GIQ 304不銹鋼氣動高真空法蘭蝶閥
giq氣動高真空蝶閥是通過電磁換向閥改變氣路方向，控制執(zhí)行氣缸驅(qū)動蝶閥作啟閉運動。用于接通或切斷真空管路中的氣流。適用介質(zhì)為純凈空氣和非腐蝕性氣體？蛇x配反饋信號裝置及電氣閥門定位器。適用范圍：10^5～1.3×10-4pa 閥門漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.
更新時間:2025-07-22
GI-KF 304不銹鋼卡箍連接手動高真空蝶閥
gi-kf 手動高真空卡箍蝶閥用于接通或切斷真空管路中的氣流。適用介質(zhì)為純凈空氣和非腐蝕性氣體。 適用范圍：10^5~6.7x10-5pa 閥門漏率：≤1.3x10-5 pa.l/s.
更新時間:2025-07-22
GI 304不銹鋼法蘭連接手動高真空蝶閥
手動高真空法蘭蝶閥用于接通或切斷真空管路中的氣流。適用介質(zhì)為純凈空氣和非腐蝕性氣體。 適用范圍：10^5～1.3×10-4pa 閥門漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.
更新時間:2025-07-22
小型微波石墨烯氣相反應(yīng)儀
al-smgg20型 小型微波石墨烯氣相反應(yīng)儀是根據(jù)我公司的控制技術(shù)并按照高校廣大師生需求設(shè)計的產(chǎn)品，主要特點是控溫?zé)o誤、7寸顯示屏顯示、觸摸控制、操作簡單方便，可以存儲數(shù)據(jù)。具有強大的數(shù)字處理功能，實時在線顯示和記錄反應(yīng)數(shù)據(jù)和曲線圖像，程序控制反應(yīng)條件，可將實驗分為多個工作階段，可隨時在線修改不適宜反應(yīng)條件參數(shù)，具有保存和查詢實驗記錄的功能。
更新時間:2025-07-17
原裝進(jìn)口KROM SCHRODER備件
上海祥樹歐茂機電設(shè)備有限公司成立于1999年，經(jīng)過多年的努力與良好的信譽度，公司與國際機電行業(yè)品牌twk、mts、hydac、masterk、weber、radio-energie、lenord bauer、elcis、ipf、hemomatik等千余家品牌廠商密切合作，形成了個穩(wěn)定而高效的全球化國際供應(yīng)鏈體系，竭盡全力為客戶提供服務(wù)。
更新時間:2025-07-10
原裝進(jìn)口SYLVAC備件
上海祥樹歐茂機電設(shè)備有限公司成立于1999年，經(jīng)過多年的努力與良好的信譽度，公司與國際機電行業(yè)品牌twk、mts、hydac、masterk、weber、radio-energie、lenord bauer、elcis、ipf、hemomatik等千余家品牌廠商密切合作，形成了個穩(wěn)定而高效的全球化國際供應(yīng)鏈體系，竭盡全力為客戶提供服務(wù)。
更新時間:2025-07-10
臥式 LPCVD 氣相沉積系統(tǒng)
horic l200 系列 臥式 lpcvd 系統(tǒng)半導(dǎo)體客戶端機臺裝機量大
更新時間:2025-06-13
等離子 化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
epee系列 等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)單片和多片式架構(gòu)，滿足量產(chǎn)和研發(fā)客戶需求 advanced single-chip and multi-chip design, meet the needs of mass production and r&d
更新時間:2025-06-13
化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 設(shè)備
pd-2201lc 是一種盒式裝載等離子體增強化學(xué)氣相沉積 (pecvd) 設(shè)備，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)在節(jié)省空間的提下提供了pecvd的所有標(biāo)準(zhǔn)功能？稍谥睆220毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。用于參數(shù)控制和配方存儲。該系統(tǒng)是大規(guī)模生產(chǎn)用薄膜沉積的理想選擇，具有優(yōu)異的重復(fù)性。
更新時間:2025-06-13
無針孔薄膜沉積設(shè)備
al-1通過交替向反應(yīng)室提供有機金屬原料和氧化劑，僅利用表面反應(yīng)沉積薄膜，實現(xiàn)了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率。薄膜的厚度可以控制在原子層的數(shù)量。此外，可以在高寬比的孔內(nèi)壁上沉積覆蓋性好、厚度均勻的薄膜？赏瑫r沉積3片ø4英寸的晶片。
更新時間:2025-06-13
化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)
pd-220nl 是一種負(fù)載鎖定等離子體增強化學(xué)氣相沉積 (pecvd) 系統(tǒng)，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)以非常緊湊的占地面積提供了pecvd的所有標(biāo)準(zhǔn)功能？稍谥睆220毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。用戶友好的觸摸屏界面，用于參數(shù)控制和配方存儲。該系統(tǒng)是研發(fā)用薄膜沉積以及試生產(chǎn)的理想選擇。
更新時間:2025-06-13
化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)
pd-3800l是一種能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的鎖載等離子體增強化學(xué)氣相沉積（pecvd）系統(tǒng)。該系統(tǒng)由于采用了大型反應(yīng)室，并通過載盤裝載多片晶圓進(jìn)行批量處理，因此產(chǎn)量較高。在直徑360mm的區(qū)域內(nèi)可以沉積出具有優(yōu)異的厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜，具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。用戶友好的觸摸屏界面用于參數(shù)控制和配方存儲。
更新時間:2025-06-13
化學(xué)氣相沉積等離子體CVD系統(tǒng)
pd-220n是用于沉積各種硅薄膜（sio2、si3n4等）的等離子體cvd系統(tǒng)。 pd-220n在提供薄膜沉積所需的全部功能的同時，占地面積比本公司的傳統(tǒng)系統(tǒng)小40%。 從尖端研究到半大規(guī)模生產(chǎn)，它的應(yīng)用范圍很廣。
更新時間:2025-06-13
等離子體增強型CVD系統(tǒng)
pd-200stl是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(>300nm/min)等離子體增強型cvd系統(tǒng)。samco獨特的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100μm）。pd-200stl具有時尚、緊湊的設(shè)計，只需要小的潔凈室空間。
更新時間:2025-06-13
等離子體增強CVD系統(tǒng)
pd-270stlc是一種低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等離子體增強cvd系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。samco獨特的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100 µm）。該系統(tǒng)通過采用大氣盒裝載和ø236毫米的托架實現(xiàn)了高產(chǎn)量，可安裝三個ø4英寸的晶圓。
更新時間:2025-06-13
等離子體增強CVD系統(tǒng)
pd-330stc是一種低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等離子體增強cvd系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。samco獨特的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100 µm）。該系統(tǒng)通過采用大氣盒裝載和ø300毫米晶圓的優(yōu)良工藝均勻性，實現(xiàn)了高產(chǎn)量。
更新時間:2025-06-13
等離子體增強CVD系統(tǒng)
pd-100st是一種用于研發(fā)的低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)等離子體增強cvd系統(tǒng)。samco獨特的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)teos源，以低應(yīng)力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100 µm）。pd-100st具有時尚、緊湊的設(shè)計，只需要小的潔凈室空間。
更新時間:2025-06-13
碳化硅沉積系統(tǒng)
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